四川科尔威光电科技有限公司;坤元晶科半导体(德阳)有限公司詹勇军获国家专利权
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龙图腾网获悉四川科尔威光电科技有限公司;坤元晶科半导体(德阳)有限公司申请的专利一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121306897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511833988.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统是由詹勇军;徐健;张国云设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统，属于集成电路制造领域，包括顺次排列的临近放电室放电出口侧的栅网、…第N中间栅网和临近干刻部件侧的栅网，每一栅网包括基板，基板上均匀分布有若干栅网孔，基板的外表面设置有第一低表面能及溅射产率低的膜层，每一栅网孔的内壁设置有第二低表面能及溅射产率低的膜层；N为大于等于0的整数。本发明可以延缓栅网损耗及延缓栅网表面的吸附污染。
本发明授权一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀系统，包括工作腔，工作腔的腔壁上开设有与等离子发生腔连通的通口，工作腔内安装有栅极系统和干刻部件，栅极系统位于与等离子发生腔连通的通口与干刻部件之间，其特征在于，所述栅极系统包括顺次排列的临近放电室放电出口侧的栅网、…第N中间栅网和临近干刻部件侧的栅网，其特征在于，每一栅网包括基板，基板上均匀分布有若干栅网孔，基板的外表面设置有第一低表面能及溅射产率低的膜层，每一栅网孔的内壁设置有第二低表面能及溅射产率低的膜层；N为大于等于0的整数； 第一低表面能及溅射产率低的膜层及第二低表面能及溅射产率低的膜层减缓离子射出侧的被刻蚀物质的吸附污染，方便表面沉积的被蚀刻物的集中性收集； 离放电室放电出口越远，第二低表面能及溅射产率低的膜层越厚； 所述第一低表面能及溅射产率低的膜层的厚度为1000nm~25000nm，第二低表面能及溅射产率低的膜层的厚度为1000nm~25000nm。
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