有研国晶辉新材料有限公司王宇获国家专利权
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龙图腾网获悉有研国晶辉新材料有限公司申请的专利一种锗单晶位错水平控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120776438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510943833.X，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种锗单晶位错水平控制方法是由王宇;王博;曹琳;马远飞;尚鹏;冯德伸;林泉;黄文文;李燕设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗单晶位错水平控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种锗单晶位错水平控制方法，属于锗单晶位错控制技术领域，包括制备多个无位错的锗单晶；将多个锗单晶上下分层放置于模具内，且锗单晶与模具内壁之间具有安装间距；将模具放置于炉体内，且模具位于炉体中的加热器中心位置；对炉体进行抽空且充入惰性气体至常压状态，启动加热器，并控制炉体内部经历低温升温阶段、中温升温阶段、保温阶段、阶梯降温阶段，以使锗单晶产生一定的位错密度；最后将多个锗单晶取出，并对锗单晶切取测试片进行位错测试。本发明提供的锗单晶位错水平控制方法，实现了对锗单晶位错密度的精准控制，且提高了制备效率。
本发明授权一种锗单晶位错水平控制方法在权利要求书中公布了：1.一种锗单晶位错水平控制方法，其特征在于，包括： S1：制备多个无位错的锗单晶； S2：将多个锗单晶上下分层放置于模具内，且锗单晶与模具内壁之间具有安装间距； S3：将模具放置于炉体内，且模具位于炉体中的加热器中心位置； S4：对炉体进行抽空且充入惰性气体至常压状态，设定惰性气体流速为5-15slm； S5：启动所述加热器，并控制炉体内温度如下变化： 1以1-8℃min的速率，使炉体内温度从室温上升至400-450℃； 2以0.5-3℃min的速率，使炉体内温度上升至650-700℃； 3将炉体内温度维持在650-700℃，并持续保持该温度状态0.5-3h； 4以0.5-1.5℃h的速率，使炉体内温度降低至350-450℃； 5以0.5-3℃h的速率，使炉体内温度降低至150-250℃； 6以1.5-4℃h的速率，使炉体内温度降低至室温； S6：将多个锗单晶取出，并对锗单晶切取测试片进行位错测试。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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