上海松山电子有限公司李俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海松山电子有限公司申请的专利熔断器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120280321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510436083.7,技术领域涉及:H01H85/18;该发明授权熔断器及其制造方法是由李俊设计研发完成,并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本熔断器及其制造方法在说明书摘要公布了:本申请提供了熔断器及其制造方法,属于熔断器技术领域。针对熔断器填充物填充密度较低的问题,本申请提供了熔断器及其制造方法,该熔断器包括管体,所述管体具有相对的两个端口,所述管体的两个端口设置有端帽,并在所述管体内形成有熔断腔体;填充物,填充于所述熔断腔体内,且用于灭弧;所述管体的至少一个所述端口设置为填充口,并用于填充所述填充物;熔断部,穿设于所述熔断腔体内;预紧层,至少覆盖所述熔断腔体的部分内表面,所述预紧层对所述填充物进行挤压,并可朝向所述熔断部膨胀,也可背离所述熔断部进一步压缩。本申请通过预紧层对填充物挤压,提高了填充物填充密度,从而提高了熔断器分断能力。
本发明授权熔断器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种熔断器,其特征在于,包括管体,所述管体具有相对的两个端口,所述管体的两个端口设置有端帽,并在所述管体内形成有熔断腔体; 填充物,填充于所述熔断腔体内,且用于灭弧; 所述管体的至少一个所述端口设置为填充口,并用于填充所述填充物; 熔断部,穿设于所述熔断腔体内; 预紧层,至少覆盖所述熔断腔体的部分内表面; 在所述熔断器正常工作状态下,所述预紧层对所述填充物施加挤压力,以提高填充密度; 在所述熔断部分断时,所述预紧层可受到所述熔断腔体内压力的增大而背离所述熔断部进一步压缩,以为所述熔断器熔断形成的等离子气体提供扩散空间;并在所述压力减小后,通过回弹朝向所述熔断部膨胀,以推动所述填充物回填至熔断起弧区域。
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