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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种抗干扰型双向静电保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510402676.1，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种抗干扰型双向静电保护电路是由杜飞波;高东兴;侯飞;董小雨设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗干扰型双向静电保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗干扰型双向静电保护电路，包括并联设置的第一静电泄放路径和第二静电泄放路径，所述第一静电泄放路径包括堆叠设置的第一静电泄放单元和第二静电泄放单元，所述第二静电泄放路路径包括堆叠设置的第三静电泄放单元和第四静电泄放单元，其中，所述第一静电泄放单元和第二静电泄放单元相反方向设置，其中，所述第一静电泄放单元的电容值大于第二静电泄放单元的电容值，所述第三静电泄放单元和第四静电泄放单元相反方向设置，所述第三静电泄放单元的电容值大于第四静电泄放单元的电容值，且，所述第一静电泄放单元与第三静电泄放单元相反方向设置。本发明通过电路结构和版图优化，能够将内部的浮空节点上的积累电荷泄放掉。

本发明授权一种抗干扰型双向静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种抗干扰型双向静电保护电路，其特征在于：包括并联设置的第一静电泄放路径和第二静电泄放路径，其中，所述第一静电泄放路径和第二静电泄放路径的一端与第一端口相连，所述第一静电泄放路径和第二静电泄放路径的另一端与第二端口相连，所述第一静电泄放路径包括堆叠设置的第一静电泄放单元和第二静电泄放单元，所述第二静电泄放路径包括堆叠设置的第三静电泄放单元和第四静电泄放单元，其中，所述第一静电泄放单元和第二静电泄放单元相反方向设置，其中，所述第一静电泄放单元的电容值大于第二静电泄放单元的电容值，所述第三静电泄放单元和第四静电泄放单元相反方向设置，所述第三静电泄放单元的电容值大于第四静电泄放单元的电容值，且，所述第一静电泄放单元与第三静电泄放单元相反方向设置， 所述第一静电泄放单元的版图面积大于第二静电泄放单元的版图面积，所述第三静电泄放单元的版图面积大于第四静电泄放单元的版图面积，所述第一静电泄放单元和第二静电泄放单元之间、第三静电泄放单元和第四静电泄放单元之间均存在浮空节点，所述第一静电泄放路径或第二静电泄放路径能够将电路内部的浮空节点上的积累电荷泄放掉，实现双向的浮空电荷泄放。

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