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龙图腾网获悉无锡芯感智科技股份有限公司申请的专利一种高敏感度高耐压传感器制造工艺及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120172345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510442744.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种高敏感度高耐压传感器制造工艺及传感器是由杨绍松;刘同庆设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高敏感度高耐压传感器制造工艺及传感器在说明书摘要公布了：一种高敏感度高耐压传感器制造工艺，其通过在压力传感器的背面空腔处设置硅岛膜结构，使得压力敏感元件都位于应力较大的位置，提高了传感器的灵敏度；同时又在硅岛膜结构上制作了镂空结构，当高速气体冲击这个镂空结构时，基于镂空结构的微变型缓冲气体的冲击力，但是不会影响气体透过镂空层，有效地保护了压力传感器的感压膜层，提高了压力传感器的使用寿命，确保硅岛膜结构能够承受更到的压力。本申请通过硅岛膜结构和镂空结构的配合使用，基于较低的成本同时提高压力传感器的灵敏度和耐压程度，确保传感器能够适用于高压环境中。

本发明授权一种高敏感度高耐压传感器制造工艺及传感器在权利要求书中公布了：1.一种高敏感度高耐压传感器制造工艺，其包括以下步骤： S1：制备SOI硅片； 所述SOI硅片包括：自上而下的第二层硅4、第二层隔离层3、第一层硅1和第一层二氧化硅隔离层2；以第一层硅作为衬底； S2：P+和P-离子注入形成压阻敏感元件； 在第二层硅4上注入硼离子使用轻掺杂形成P-掺杂层，构成敏感电阻元件5； 而后在第二层硅4选取硼离子进行注入，使用重掺杂形成P+掺杂层6形成欧姆接触电连接； 重掺杂结构P-掺杂层6将几段敏感电阻元件5连接在一起，并与金属一起组成惠斯通电桥； S3：生长氧化层并刻蚀通孔； 在第二层硅4上生长一层氧化层7，而后对氧化层7进行干法刻蚀形成通孔8； S4：金属溅射及图形化； 采用磁控溅射的方法在通孔8和氧化层7表面溅射一层金属9，形成压敏电阻之间的金属互连和键合焊盘； 其特征在于，其还包括以下步骤： S5：干法刻蚀硅片背面的第一层二氧化硅隔离层2，刻蚀截止层为第一层硅1，在第一层二氧化硅隔离层2上刻蚀形成腐蚀窗口后构成用于刻蚀硅岛膜结构的掩膜层10； S6：采用KOH溶液腐蚀硅片，基于掩膜层10在第一层硅1上形成硅岛膜结构11； S7：在硅岛膜结构11上形成第一层镂空结构13； 步骤S7中，具体包括以下步骤： a1：进行CMP机械抛光，将硅岛膜结构11减薄； a2：在硅岛膜结构11表面利用光刻板涂覆一层具有规律间隔结构的光刻胶12； a3：基于硅岛膜结构11表面进行磁控溅射沉积出一层铂金金属层，再将光刻胶12利用lift-off工艺进行剥离，形成铂金金属层竖型结构，得到第一层镂空结构13； S8：在第一层镂空结构上形成第二层镂空结构14，得到镂空硅岛结构； 步骤S8中，具体包括以下步骤： b1：在第一层镂空结构13上通过磁控溅射技术沉积一层金属铝； b2：在金属铝的表面旋涂光刻胶，利用掩膜版，进行条状保护光刻胶的显影； b3：利用酸性湿法腐蚀液进行金属铝的蚀刻； b4：将保护光刻胶进行去除，形成第二层的栅栏式条状结构，得到第二层镂空结构14。

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