中国科学院宁波材料技术与工程研究所曹鸿涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092613.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法是由曹鸿涛;金婷婷;梁凌燕;吴宏菲设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该氧化物半导体薄膜晶体管包括衬底；栅电极，位于所述衬底上；栅介质层，位于所述栅电极上；有效诱导层，所述有效诱导层包括从下到上设置的沟道层a、沟道层b和沟道颗粒层，所述沟道层a位于所述栅介质层上；诱导层，位于所述沟道颗粒层上；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相隔设置在栅介质层和有效诱导层上。该氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的迁移率和稳定性。
本发明授权一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 栅电极，位于所述衬底上； 栅介质层，位于所述栅电极上； 有效诱导层，所述有效诱导层包括从下到上设置的沟道层a、沟道层b、沟道颗粒层和诱导层，所述沟道层a位于所述栅介质层上； 源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相隔设置在栅介质层和有效诱导层上； 在沟道层a中，铟的含量为0-30%； 所述沟道颗粒层的材料为氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化锡中的一种或多种； 所述诱导层的材料为低电负性材料； 所述低电负性材料为Al或Ta。
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