中国科学院电工研究所赵聪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119966249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510256712.8,技术领域涉及:H02M3/335;该发明授权谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法是由赵聪;张航;李子欣;高范强;李耀华设计研发完成,并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法在说明书摘要公布了:本发明属于电路故障控制领域,具体涉及了谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法,旨在解决小直流电容的DAB变换器中,功率半导体开路故障致电流不对称,难以实现有效容错运行的问题。本发明包括:当S5至S8任一发生故障,闭锁这些器件并重新计算开关频率与时序;若S1或S3故障,则分别保持S7导通S8关断或S5导通S6关断,并根据高频电流负半波调整开关周期;对于S2或S4故障的情况,相应保持S8或S6导通,而S7或S5关断,同样基于高频电流正半波调整开关周期。本发明通过调整开关频率和时序,在不增加硬件成本的基础上,提升了系统可靠性,尤其适用于小直流侧电容应用,即使在功率半导体开路故障条件下也能维持高效稳定运行并保护器件。
本发明授权谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法在权利要求书中公布了:1.一种谐振型双有源桥变换器功率半导体开路故障容错控制方法,应用于一种谐振型双有源桥变换器,所述谐振型双有源桥变换器包括高压侧H桥和低压侧H桥,其中,第一功率半导体器件S1和第二功率半导体器件S2串联连接组成高压侧H桥的一个桥臂,第三功率半导体器件S3和第四功率半导体器件S4串联连接组成高压侧H桥的另一个桥臂, 第五功率半导体器件S5和第六功率半导体器件S6串联连接组成低压侧H桥的一个桥臂,第七功率半导体器件S7和第八功率半导体器件S8串联连接组成低压侧H桥的另一个桥臂,高压侧H桥和低压侧H桥通过高频变压器连接,其特征在于,该方法包括: 步骤A1,判断发生开路故障的功率半导体的位置,若发生开路故障的功率半导体为第五功率半导体器件S5、第六功率半导体器件S6、第七功率半导体器件S7、第八功率半导体器件S8中任意一个时,跳转至步骤A2; 若发生开路故障的功率半导体为第一功率半导体器件S1或第三功率半导体器件S3时,跳转至步骤A3;若发生开路故障的功率半导体为第二功率半导体器件S2或第四功率半导体器件S4时,跳转至步骤A4; 步骤A2,闭锁第五功率半导体器件S5、第六功率半导体器件S6、第七功率半导体器件S7、第八功率半导体器件S8,根据高频电流初始相位计算开关频率,基于开关频率分配功率半导体器件开关时序; 步骤A3,若第一功率半导体器件S1发生开路故障,则使第七功率半导体器件S7始终处于导通状态,第八功率半导体器件S8始终处于关断状态, 若第三功率半导体器件S3发生开路故障,则使第五功率半导体器件S5始终处于导通状态,第六功率半导体器件S6始终处于关断状态; 根据高频电流负半波幅值与初始相位计算得到开关周期,基于开关周期分配功率半导体器件开关时序; 步骤A4,若第二功率半导体器件S2发生开路故障,则使第八功率半导体器件S8始终处于导通状态,第七功率半导体器件S7始终处于关断状态;若第四功率半导体器件S4发生开路故障,则使第六功率半导体器件S6始终处于导通状态,第五功率半导体器件S5始终处于关断状态; 根据高频电流正半波幅值与初始相位计算得到开关周期,基于开关周期分配功率半导体器件开关时序。
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