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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115931802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211536448.6，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统是由杨欢;韩一平;赵文娟;汪加洁;崔志伟设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统在说明书摘要公布了：一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统，包括激光器，激光器发出的脉冲激光依次经过第一、第二透镜扩束后传输至半透半反镜，将脉冲激光分为两路光路；在反射光路，经过物镜的入射脉冲激光聚焦在半导体量子点样品表面，半导体量子点样品受激发后辐射出上转换荧光，上转换荧光与荧光增强基底作用后，和半导体量子点样品表面的反射脉冲激光一起经物镜传输至半透半反镜进入透射光路；在透射光路，经过半透半反镜的透射荧光和反射脉冲激光经滤光片进入第三透镜，然后进入光谱仪和EMCCD相机进行荧光光谱采集，利用电子计算机对光谱仪和EMCCD相机的进行调控和数据处理，并显示半导体量子点样品的荧光光谱，本发明为生物活体细胞内的温度检测提供技术支撑。

本发明授权一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体量子点上转换荧光光谱检测系统，包括激光器1，其特征在于：激光器1发出的脉冲激光依次经过第一透镜2、第二透镜3进行扩束后传输至半透半反镜4，将脉冲激光分为两路光路，一路为反射光路，一路为透射光路，第二透镜3设置在第一透镜2的后焦面上； 在半透半反镜4的反射光路上，设有物镜5、载物台8及荧光增强基底7和半导体量子点样品6，半导体量子点样品6吸附在荧光增强基底7上，荧光增强基底7安装在载物台8上；经过物镜5的入射脉冲激光聚焦在半导体量子点样品6表面，半导体量子点样品6受激发后辐射出上转换荧光，上转换荧光与荧光增强基底7作用后，和半导体量子点样品6表面的反射脉冲激光一起经物镜5传输至半透半反镜4进入透射光路； 在半透半反镜4的透射光路上有滤光片9、第三透镜10、光谱仪11和EMCCD相机12，光谱仪11和EMCCD相机12连接，光谱仪11、EMCCD相机12与电子计算机13连接；经过半透半反镜4的透射荧光和反射脉冲激光经滤光片9进入第三透镜10，然后进入光谱仪11和EMCCD相机12进行荧光光谱采集，利用电子计算机13对光谱仪11和EMCCD相机12的进行调控和数据处理，并显示半导体量子点样品6的荧光光谱； 所述的荧光增强基底7包括基底，基底上设有介电偏心球形空腔粒子单层阵列，介电偏心球形空腔粒子单层阵列表面吸附有半导体量子点样品6，其中球形空腔粒子的材料为不定型硅或晶体硅，球形空腔粒子的最大壳层厚度为30nm至80nm之间，球形空腔粒子单层阵列的相邻侧壁间距为0至10nm之间。

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