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龙图腾网获悉联发科技(新加坡)私人有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111641975.9，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构是由梁昌;陈京好;段志刚;詹归娣设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构，包括：基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该基板上方；以及多端子电容器结构，嵌入于该基板中，该多端子电容器结构包括：第一正极端子与第一接地端子，通过该布线结构电耦接至该第一半导体晶粒；以及第二正极端子和第二接地端子，通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒。本发明采用包括多个电容器和多个端子的多端子电容器结构，并且多端子电容器结构嵌入在基板中。因此，本发明可以减少电容器所占用的空间，并且可以增加基板上保留的导电结构。因此，本发明可以增加设计灵活性，并且可以更容易地设计。本发明还可以提供半导体封装性能的提升。

本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基板，包括布线结构； 第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该基板上方；以及 多端子电容器结构，嵌入于该基板中，该多端子电容器结构包括： 第一正极端子与第一接地端子，通过该布线结构电耦接至该第一半导体晶粒；以及 第二正极端子和第二接地端子，通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒； 该多端子电容器结构包括：第一多端子电容器，包括该第一正极端子与该第一接地端子；以及第二多端子电容器，包括该第二正极端子与该第二接地端子； 其中该第一正极端子与该第二正极端子彼此电性隔离，该第一正极端子与该第二正极端子电性耦接不同的电源域； 其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒使用不同的电源域，并且该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒均连接到同一个该多端子电容器结构； 该多端子电容器结构还包括：半导体基板；以及第一绝缘层，设置在该半导体基板之上，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器设置在该第一绝缘层之上并且与该半导体基板电隔离； 该第一多端子电容器包括设置在该第一绝缘层上的第一导电层和在该第一导电层之上的第二导电层，以及设置在第一导电层和第二导电层之间的第一导电材料、第二绝缘层和第二导电材料，其中该第一导电材料与该第一导电层连接，该第二导电材料与该第二导电层连接，该第二绝缘层围绕该第一导电材料和该第二导电材料，并且该第二绝缘层将第二导电材料与第一导电层间隔开，还将该第一导电材料与第二导电层间隔开。

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