三星电子株式会社白石千获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011278731.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权垂直存储器装置是由白石千设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括设置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开的第一水平栅电极，第一方向与基底的上表面基本上垂直。第一水平栅电极中的每个在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面基本上平行。垂直沟道在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极。电荷存储结构设置在第一水平栅电极中的每个与垂直沟道之间。第一垂直栅电极在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极。第一垂直栅电极与第一水平栅电极电绝缘。第一水平沟道设置在第一水平栅电极中的每个的与第一垂直栅电极相邻的部分处。
本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括： 第一水平栅电极，设置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开，第一方向与基底的上表面基本上垂直，其中，第一水平栅电极中的每个在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面基本上平行； 垂直沟道，在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极； 电荷存储结构，设置在第一水平栅电极中的每个与垂直沟道之间； 第一垂直栅电极，在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极，第一垂直栅电极与第一水平栅电极电绝缘； 第一水平沟道，设置在第一水平栅电极中的每个的与第一垂直栅电极相邻的部分处；以及 公共源极板，设置在基底上， 其中，第一水平栅电极设置在公共源极板上，并且第一垂直栅电极在第一方向上延伸穿过公共源极板并且与公共源极板电绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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