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深圳市中兴微电子技术有限公司鲁国宁获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市中兴微电子技术有限公司申请的专利数据缓存装置及方法、存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112799975B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911106091.6,技术领域涉及:G06F12/0811;该发明授权数据缓存装置及方法、存储器是由鲁国宁设计研发完成,并于2019-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

数据缓存装置及方法、存储器在说明书摘要公布了:本公开提供了一种数据的缓存方法,其包括:将从动态随机存储器DRAM中所读取的特征图数据和权重数据,写入二级缓存中;当判断出一级缓存的存储空间存在空闲时,将二级缓存中的特征图数据和权重数据写入一级缓存,以供推理模块进行读取。本公开还提供了一种数据缓存装置及存储器。

本发明授权数据缓存装置及方法、存储器在权利要求书中公布了:1.一种数据的缓存方法,其包括: 将从动态随机存储器DRAM中所读取的特征图数据和权重数据,写入二级缓存中; 当判断出一级缓存的存储空间存在空闲时,将二级缓存中的特征图数据和权重数据写入一级缓存,以供推理模块进行读取; 所述一级缓存包括特征图数据一级缓存和权重数据一级缓存;所述当判断出一级缓存的存储空间存在空闲时,将二级缓存中的特征图数据和权重数据写入一级缓存的步骤,包括: 当判断出特征图数据一级缓存的存储空间存在空闲时,向二级缓存发送第一请求,将二级缓存中的特征图数据写入特征图数据一级缓存中;当判断出权重数据一级缓存的存储空间存在空闲时,向二级缓存发送第二请求,将二级缓存中的权重数据写入权重数据一级缓存中; 其中,所述二级缓存包括多个存储体组群;每个存储体组群包括多个存储体;所述将从动态随机存储器DRAM中所读取的特征图数据和权重数据,写入二级缓存中的步骤,包括: 将从动态随机存储器DRAM中所读取的特征图数据和权重数据,按照预先设置的读写顺序和空间地址,将所述特征图数据和权重数据存储至与所述存储体组群的相应存储体中; 所述权重数据一级缓存包括多个环形缓存,且环形缓存的数量与二级缓存的存储体数量相同;每个所述环形缓存对应一个二级缓存中的存储体; 当判断出权重数据一级缓存的存储空间存在空闲时,向二级缓存发送第二请求,将二级缓存中的权重数据写入一级缓存中步骤包括: 当判断出权重数据一级缓存的环形缓存空闲时,向二级缓存发送第二请求,将二级缓存中的对应存储体中的权重数据写入该环形缓存中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市中兴微电子技术有限公司,其通讯地址为:518055 广东省深圳市南山区西丽街道留仙大道中兴工业园;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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