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龙图腾网获悉OTI照明公司申请的专利形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112135808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980022616.X，技术领域涉及：C07C22/08；该发明授权形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置是由Y-L·常;Q·王;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王;B·H·莱萨尔设计研发完成，并于2019-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置在说明书摘要公布了：光电装置包括衬底；设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的半导体层；设置在半导体层上的第二电极，第二电极具有第一部分和第二部分；设置在第二电极的第一部分上的成核抑制涂层；以及设置在第二电极的第二部分上的导电涂层，其中成核抑制涂层是式I化合物

本发明授权形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置在权利要求书中公布了：1.一种光电装置，其包含： 设置在所述装置横向方面的第一部分中的第一层表面上的成核抑制涂层NIC；和 设置在所述装置横向方面的第二部分中的第二层表面上的导电涂层； 其中所述NIC包含式I化合物 式I 其中X1至X10中的至少两个各自独立地选自由以下组成的组：I-A、I-B、I-C、I-D、I-E、I-F和I-G，并且其余的X1至X10各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-A 其中在I-A中，A1、A2、A3、A4和A5各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-B 其中在I-B中，B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-C 其中在I-C中，C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9和C10中的至少一个表示与式I的连接；并且其余的C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9和C10各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-D 其中在I-D中，D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9和D10中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9和D10各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-E 其中在I-E中，E1、E2、E3、E4、E5、E、E、E、E、E10、E11和E12中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的E、E、E、E、E、E、E、E、E、E10、E11和E12各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基； I-F 其中在I-F中，F、F、F、F、F、F、F、F、F和F10中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的F、F、F、F、F、F、F、F、F和F10各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；和 I-G 其中在I-G中，G、G、G、G、G、G、G、G、G、G10、G11和G12中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的G、G、G、G、G、G、G、G、G9、G10、G11和G12各自独立地选自由以下组成的组：H、D氘、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基。

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