半导体元件工业有限责任公司M·阿加姆获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111696911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010029159.1，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权电子器件是由M·阿加姆;J·皮杰卡克;J·C·J·让森斯设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件在说明书摘要公布了：本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可以包括限定沟槽的衬底。在一个实施方案中，半导体主体可以在所述沟槽内，其中，所述半导体主体具有至少0.05欧姆‑厘米的电阻率，并且与所述衬底电隔离。在一个实施方案中，电子部件可以在所述半导体主体内。所述电子部件可以是电阻器或二极管。在一个特定实施方案中，所述半导体主体具有上表面，所述电子部件在上表面内并沿着所述上表面，并且与所述半导体主体的底部间隔开。在另外的实施方案中，所述电子器件还可以包括在所述衬底的有源区内的第一电子部件、在所述沟槽内的隔离结构和在所述隔离结构内的第二电子部件。
本发明授权电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，所述电子器件包括： 衬底，所述衬底限定沟槽，所述沟槽具有至少5微米的深度； 第一电子部件，所述第一电子部件在所述衬底的第一有源区内； 隔离结构，所述隔离结构在所述沟槽内并围绕所述第一电子部件，其中所述隔离结构包括： 半导体主体，所述半导体主体位于所述沟槽内，其中所述半导体主体具有至少0.05ohm-cm的电阻率；以及 绝缘层，所述绝缘层沿着所述沟槽的侧面和底部布置，并将所述半导体主体与所述衬底电隔离；以及 第二电子部件，所述第二电子部件在所述半导体主体内，其中至少所述半导体主体的在所述沟槽内的一部分位于所述第二电子部件的下面。
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