铜川市高远产业开发运营管理有限责任公司李亚平获国家专利权
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龙图腾网获悉铜川市高远产业开发运营管理有限责任公司申请的专利一种提高晶体保护作用的半导体晶片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165116U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520440930.2，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种提高晶体保护作用的半导体晶片是由李亚平;隽培军设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高晶体保护作用的半导体晶片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种提高晶体保护作用的半导体晶片，涉及半导体晶片技术领域，包括晶片主体和基座，所述晶片主体相抵设置于基座的上表面，所述晶片主体的上侧套设有端盖，所述端盖的下端套设于基座的外壁，所述端盖的上表面开设有圆槽，所述基座与端盖之间设置有连接机构，所述基座与端盖通过连接机构限位连接，所述基座的上表面开设有多个条形槽，所述端盖的侧壁且与所述条形槽对应的位置呈环形阵列分布开设有多个散热孔，所述端盖的侧壁且位于多个所述散热孔的上侧均开设有多个安装孔，多个所述安装孔的内部均固定嵌设有导热条。本实用新型具有多处散热结构，能够在提高对晶体保护性能的同时，提高晶片的散热效率。
本实用新型一种提高晶体保护作用的半导体晶片在权利要求书中公布了：1.一种提高晶体保护作用的半导体晶片，包括晶片主体2和基座4，其特征在于，所述晶片主体2相抵设置于基座4的上表面，所述晶片主体2的上侧套设有端盖1，所述端盖1的下端套设于基座4的外壁，所述端盖1的上表面开设有圆槽3，所述基座4与端盖1之间设置有连接机构，所述基座4与端盖1通过连接机构限位连接，所述基座4的上表面开设有多个条形槽8，所述端盖1的侧壁且与所述条形槽8对应的位置呈环形阵列分布开设有多个散热孔6，所述端盖1的侧壁且位于多个所述散热孔6的上侧均开设有多个安装孔9，多个所述安装孔的内部均固定嵌设有导热条5，多个所述导热条5的一侧均与晶片主体2的侧壁相抵触。
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