买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748636.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件是由刘恒;张永旺;储金星;杨晶杰;何濠启设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件，IGBT结构包括：衬底、第一导电类型的漂移区、多个沟槽栅、第二导电类型的体区、第一导电类型的发射区、第二导电类型的保护环、第二导电类型的集电区和多个第一导电类型的掺杂区，衬底包括IGBT区和位于IGBT区外侧的终端区并具有在第一方向上相互背离的第一表面和第二表面，集电区设置于漂移区朝向第一表面的一侧，且集电区远离漂移区的一侧构成至少部分第一表面，多个掺杂区沿与第一方向垂直的方向间隔设置于终端区的集电区中。根据本申请的IGBT结构及其制造方法、半导体器件，可有效降低关断损耗，且不会影响到导通压降。

本发明授权一种IGBT结构及其制造方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构，其特征在于，包括： 衬底，包括IGBT区和位于所述IGBT区外侧的终端区，且所述衬底具有在第一方向上相互背离的第一表面和第二表面； 第一导电类型的漂移区，设置于所述第一表面和所述第二表面之间； 多个沟槽栅，间隔设置于所述IGBT区内并自所述第二表面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的体区，设置于所述漂移区朝向所述第二表面的一侧且位于相邻的所述沟槽栅之间； 第一导电类型的发射区，设置于所述体区朝向所述第二表面的一侧，且所述发射区远离所述体区的一侧构成至少部分所述第二表面； 第二导电类型的保护环，设置于所述终端区内并自所述第二表面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的集电区，设置于所述漂移区朝向所述第一表面的一侧，且所述集电区远离所述漂移区的一侧构成至少部分所述第一表面； 多个第一导电类型的掺杂区，沿与所述第一方向垂直的方向间隔设置于所述终端区的所述集电区中，所述终端区具有靠近所述IGBT区的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，从所述第二侧到所述第一侧，多个所述掺杂区在与所述第一方向垂直的方向上的宽度逐渐增大；和或多个所述掺杂区在所述第一方向上的厚度逐渐增大；和或相邻的所述掺杂区的间隔距离逐渐减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人海信家电集团股份有限公司，其通讯地址为：528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。