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龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利超结器件的终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780202.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结器件的终端结构及其制造方法是由肖胜安;曾大杰;范雨婷;干超设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结器件的终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结器件的终端结构中，保护环氧化膜覆盖在过渡区和终端区的超结结构的表面。各P型柱具有第一表面区域，第一表面区域中的部分P型杂质会热偏析到保护环氧化膜中。第二P型注入杂质位于终端区的超结结构的第二表面区域中，第二表面区域和第一表面区域有交叠区域，第二P型注入杂质用于补偿第一表面区域中P型杂质的减少量，从而改善终端区中的超结结构的PN平衡，第二P型注入杂质同时使终端区的N型柱的第二表面区域的N型净掺杂量减少。本发明还公开了一种超结器件的终端结构的制造方法。本发明能改善终端结构的PN平衡，提高器件耐压，还能扩大器件的P型柱的工艺窗口，能提高器件的击穿电压一致性以及可靠性。

本发明授权超结器件的终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结器件的终端结构，其特征在于：超结器件的中间区域为电流流动区，终端区环绕于所述电流流动区的外周，过渡区位于所述电流流动区和所述终端区之间； 在所述电流流动区、所述过渡区和所述终端区中都形成有超结结构；所述超结结构形成于半导体衬底中且所述超结结构包括交替排列的N型柱和P型柱，各所述P型柱具有第一初始P型杂质，各所述N型柱具有第一初始N型杂质，超结单元包括一个所述N型柱和相邻的所述P型柱； 终端结构形成于所述过渡区和所述终端区中，所述终端结构包括：所述超结结构、保护环氧化膜和第二P型注入杂质； 所述保护环氧化膜覆盖在所述过渡区和所述终端区的所述超结结构的表面； 各所述P型柱具有第一表面区域，所述第一表面区域中的部分P型杂质会热偏析到所述保护环氧化膜中从而使各所述P型柱的所述第一表面区域中的P型杂质量减少； 所述第二P型注入杂质位于所述终端区的所述超结结构的第二表面区域中，在所述电流流动区中无所述第二P型注入杂质；在所述终端区的所述P型柱中，所述第二表面区域和所述第一表面区域有交叠区域； 所述第二P型注入杂质用于补偿所述第一表面区域中P型杂质的减少量，从而改善所述终端区中的所述超结结构的PN平衡，所述第二P型注入杂质同时使所述终端区的所述N型柱的第二表面区域的N型净掺杂量减少，以提高所述终端区中的所述超结结构的耐压能力和提高所述P型柱的工艺窗口。

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