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龙图腾网获悉苏州首传微电子有限公司申请的专利带隙基准源电路及原位背景校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117742434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311842463.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带隙基准源电路及原位背景校准方法是由许永生;渠宁;陈继凯设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准源电路及原位背景校准方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带隙基准源电路及原位背景校准方法，带隙基准源电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、误差放大器、电阻单元、失调校正单元、电压比较单元和校正码调节单元，电压比较单元用于比较第一PMOS管的源极端输入线上电压、第二PMOS管的源极端输入线上电压和第三PMOS管的源极端输入线上电压相互之间的大小，以及比较第一PMOS管的漏极电压和第二PMOS管的漏极电压的大小，校正码调节单元用于根据电压比较单元的比较结果调整电阻单元的电阻值或调整第二PMOS管和第三PMOS管的宽长比，校正码调节单元还用于根据电压比较单元的比较结果调整失调校正单元，减少了带隙基准源电路输出的电压误差。

本发明授权带隙基准源电路及原位背景校准方法在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准源电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、误差放大器、电阻单元、失调校正单元、电压比较单元和校正码调节单元，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极均与所述电阻单元连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极和所述误差放大器的输出端连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一三极管的发射极连接，所述第一三极管的基极和集电极均接地，所述第二PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的基极和集电极均接地，所述第三PMOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三三极管的发射极连接，所述第三三极管的基极和集电极均接地，所述失调校正单元用于调整所述第一PMOS管的漏极电压以及所述第二PMOS管的漏极电压，所述电压比较单元用于比较所述第一PMOS管的源极端输入线上电压、所述第二PMOS管的源极端输入线上电压和所述第三PMOS管的源极端输入线上电压相互之间的大小，以及比较所述第一PMOS管的漏极电压和所述第二PMOS管的漏极电压的大小，所述校正码调节单元用于根据所述电压比较单元的比较结果调整所述电阻单元的电阻值或调整所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的宽长比，所述校正码调节单元还用于根据所述电压比较单元的比较结果调整所述失调校正单元。

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