思特威(上海)电子科技股份有限公司王倩获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器及电子设备、制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116936584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210339293.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及电子设备、制作方法是由王倩设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及电子设备、制作方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器及电子设备、制作方法，该图像传感器包括：半导体基底，半导体基底中设有多个像素单元区以及像素隔离区；像素单元区包括：感光区、传输晶体管、浮动扩散区以及源极跟随晶体管，感光区用于将光信号转换为电信号；传输晶体管用于将电信号转移至浮动扩散区；源极跟随晶体管用于输出电信号；其中，像素单元区还包括绝缘间隔结构，绝缘间隔结构嵌入感光区，且传输晶体管设置于绝缘间隔结构中。通过将绝缘间隔结构嵌入感光区内，并将传输晶体管设置于绝缘间隔结构中，从而减小感光区与传输晶体管的传输距离，提高传输性能，减小Lag，在相同的电场梯度下进行更高的感光区掺杂，相同感光区面积下可获得更高的满阱，有效利用像素内部的面积。
本发明授权图像传感器及电子设备、制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括： 半导体基底，所述半导体基底中设有多个像素单元区以及将多个所述像素单元区相互间隔开的像素隔离区； 所述像素单元区包括：感光区、传输晶体管、浮动扩散区以及源极跟随晶体管，所述感光区用于在曝光过程中将包含图像信息的光信号转换为电信号；所述传输晶体管连接所述感光区和所述浮动扩散区，用于将所述感光区的电信号转移至所述浮动扩散区；所述源极跟随晶体管用于输出所述浮动扩散区的电信号； 其中，所述像素单元区还包括绝缘间隔结构，所述绝缘间隔结构嵌入所述感光区，且所述传输晶体管设置于所述绝缘间隔结构中； 所述传输晶体管位于所述感光区内部并与所述像素单元区边缘的所述像素隔离区之间具有间距。
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