天津工业大学龚耿浩获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种碳化陶瓷导电膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116832631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310824784.9,技术领域涉及:B01D71/42;该发明授权一种碳化陶瓷导电膜及其制备方法是由龚耿浩;朱家明;张迪;于诗雨设计研发完成,并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化陶瓷导电膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种碳化陶瓷导电膜及其制备方法,涉及导电膜技术领域。本发明采用相转化技术先将聚丙烯腈溶解与陶瓷颗粒混合相转化后制备出聚丙烯腈聚合物陶瓷膜前驱体,然后再经过低温预氧化后进行高温碳化将陶瓷膜前驱体中聚丙烯腈聚合物转变具有高电导率的石墨碳结构,制备出碳化陶瓷导电膜。本发明的制备方法能够调节膜结构、膜孔大小,同时显著降低膜的电阻并使其具备良好的机械性能与稳定性。
本发明授权一种碳化陶瓷导电膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化陶瓷导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、将聚合物材料溶解到二甲基甲酰胺中,全溶解后加入陶瓷颗粒,搅拌均匀后得到铸膜液; S2、将铸膜液静置脱泡后倒在洁净的玻璃板上进行刮膜,刮膜完成后立即将带有铸膜液的玻璃板浸入凝固浴中,待其完全相转化;所述刮膜后膜的厚度为300-1000μm; S3、将完全相转化的膜从凝固浴中取出,冷冻后进行真空干燥; S4、将干燥后的膜片裁切后使用两层陶瓷片将膜片夹在中间进行预氧化,预氧化完成后进行高温碳化,碳化结束后自然冷却至室温即得碳化陶瓷导电膜; 所述凝固浴为纯水凝固浴或乙醇凝固浴; 所述预氧化在空气气氛下进行,升温速率为2℃min,预氧化温度为100℃-300℃,保温时间为150min; 所述高温碳化在氮气气氛下进行,升温速率为3℃min,高温碳化温度为1200℃,保温时间为60min。
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