湖南皓志科技股份有限公司伍雅峰获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南皓志科技股份有限公司申请的专利一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310789689.X，技术领域涉及：C01F17/10；该发明授权一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法是由伍雅峰;谢喜明;高利鸣;党辉设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域；其制备过程如下：㈠、前驱体合成：⑴、溶液配制：①、铈盐溶液配制；②、碱液配制；⑵、合成：①、添加助熔盐；②、沉淀；㈡、煅烧；㈢、清洗；具有制备工艺简单、操作过程可控、重复性好、且易于实现工业化等特点，其所制备的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈可用于硅衬底片的粗抛光。
本发明授权一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于，其制备过程如下： ㈠、前驱体合成： ⑴、溶液配制： ①、铈盐溶液配制：将可溶性铈盐加入到纯净水中，调制成0.2-0.8molL的可溶性铈盐溶液，备用； ②、碱液配制：将碱加入到纯净水中，调制成含量为2-8%的碱液，备用； ⑵、合成： ①、添加助熔盐：向可溶性铈盐溶液中加入助熔盐，搅拌溶解，其助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的2-8%进行，得可溶性铈盐和助熔盐混合溶液，备用； ②、沉淀：在室温下，向可溶性铈盐助熔溶液中缓慢加入碱液，至pH值10-12，得胶体，其后，在70-90℃下搅拌4-6h，待高温陈化完全后，抽滤，并将滤饼在105-120℃下烘干，即得前驱体，备用； ㈡、煅烧： 将前驱体置于马弗炉中，在650-700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用2-4h升温至煅烧温度，然后，在煅烧温度下保温煅烧0.5-1.5h，得煅烧前驱体，备用； ㈢、清洗： 将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1mscm以下，即得氧化铈； 所述碱为氢氧化钾； 所述助熔盐为氯化钾。
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