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龙图腾网获悉常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310567505.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射激光器是由翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器包括：多个发光单元，发光单元设置有发光区，至少部分相邻设置的发光单元的发光区有交叠。本发明实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器的平面尺寸。

本发明授权一种垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 多个发光单元， 所述发光单元设置有发光区，至少部分相邻设置的发光单元的发光区有交叠； 所述垂直腔面发射激光器包括衬底； 第一电极，所述第一电极位于所述衬底的第一表面； 所述发光单元包括第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜的叠层，所述第一布拉格反射镜位于所述衬底与所述第一表面相对设置的第二表面； 欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述第二布拉格反射镜远离所述有源层的表面； 氧化沟槽，所述氧化沟槽围绕所述发光单元设置，所述第二布拉格反射镜与所述有源层之间设置有氧化层，所述氧化层围成氧化孔，电流由所述氧化层围成的氧化孔来局限电流路径，并在所述有源层发光，再由所述发光区出射； 第二电极，所述第二电极位于所述发光单元的边缘，所述第二电极环绕所述发光区设置，且用于限定出所述发光区，发光区存在交叠的两发光单元的第二电极在交叠处连续设置或者不连续设置； 还包括离子注入层，所述离子注入层位于欧姆接触层经过所述第二布拉格反射镜到所述有源层之上； 其中，围绕一个发光单元的氧化沟槽包括多个不连续的子氧化沟槽；所述氧化层还包括至少一对第三部分氧化层和第四部分氧化层，所述第三部分氧化层对应的子氧化沟槽和所述第四部分氧化层对应的子氧化沟槽为同一个发光单元的相邻且不连续的子氧化沟槽；所述离子注入层在所述衬底的正投影与所述第三部分氧化层和所述第四部分氧化层之间的区域在所述衬底的正投影无交叠；所述第三部分氧化层和所述第四部分氧化层之间的区域为发光区；至少一对所述第三部分氧化层和所述第四部分氧化层之间的区域在所述衬底所在平面内的长度为所述发光区在所述衬底所在平面内的最大长度。

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