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中南大学杨英获国家专利权

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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116364807B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310300153.7,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法是由杨英;张林;郭学益设计研发完成,并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法在说明书摘要公布了:一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法,包括如下步骤:1清洗、紫外臭氧处理FTO基底;2在经清洗、紫外臭氧处理的FTO基底上旋涂电子传输层基底,然后置于空气中进行热处理;3在步骤2所得的致密电子传输层基底表面旋涂制备CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜;4制备C电极:将步骤3的所得的CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜转移至湿度RH≤40%的空气中,然后刮涂导电炭浆料,再进行低温退火;5将步骤4完成C电极制备后的器件置于相对湿度10‑60%的空气中进行热处理即可优化光电性能。利用本发明,不需要添加其他化学试剂,仅消耗空气中的O2,能使全无机钙钛矿太阳能电池原有效率的基础上,显著且稳定地提升器件的Voc、FF和PCE。

本发明授权一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法在权利要求书中公布了:1.一种优化CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池光电性能的方法,其特征在于:包括如下步骤: 1清洗、紫外臭氧处理FTO基底:依次用洗涤剂与去离子水混合物、去离子水、无水乙醇超声清洗FTO基底,然后烘干,紫外臭氧处理后备用; 2制备致密电子传输层基底:在经步骤1清洗、紫外臭氧处理的FTO基底上旋涂电子传输层基底,然后置于空气中进行热处理,得致密电子传输层基底; 3制备CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜:将步骤2所得的致密电子传输层基底进行紫外臭氧处理,然后在其表面旋涂制备CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜,再进行退火处理,得CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜;所述旋涂制备CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜的旋涂用前驱液为CsI和PbBr2的混合二甲基亚砜溶液; 4制备C电极:将步骤3所得的CsPbIBr2无机钙钛矿薄膜转移至湿度RH≤40%的空气中,然后刮涂导电炭浆料,再进行低温退火,C电极,得完成C电极制备的器件; 5完成C电极制备的器件热处理:将步骤4完成C电极制备的器件置于相对湿度为10%~60%的空气中进行热处理,得到光电性能优化的CsPbIBr2全无机钙钛矿太阳能电池。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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