中芯国际集成电路制造(上海)有限公司柯星获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111632776.1，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由柯星;纪世良;张海洋设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底和待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区，第一区上具有若干第一初始掩膜结构、第二区上具有若干第二掩膜结构；在第二区上形成牺牲层；对第一初始掩膜结构进行刻蚀处理，形成第一掩膜结构；基于第一先进制程控制技术，在第一掩膜结构的侧壁和顶部表面、以及在第二掩膜结构的侧壁和顶部表面形成保护层；刻蚀待刻蚀层，在基底上形成若干图形化结构。第一先进制程控制技术能够同时对第一掩膜结构和第二掩膜结构的特征尺寸进行补偿，进而使得第二掩膜结构的特征尺寸也符合预设的特征尺寸，以此保证后续图形化传递的精确性，以提升晶圆生产良率和可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区，所述第一区上具有若干相互分立的第一初始掩膜结构，所述第一初始掩膜结构具有第一宽度尺寸，所述第二区上具有若干相互分立的第二掩膜结构； 在所述待刻蚀层上和第二掩膜结构上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述第一区和第一初始掩膜结构； 对所述第一初始掩膜结构进行刻蚀处理，形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构具有第二宽度尺寸，所述第二宽度尺寸小于所述第一宽度尺寸； 基于第一先进制程控制技术，在所述第一掩膜结构的侧壁和顶部表面、以及在所述第二掩膜结构的侧壁和顶部表面形成保护层； 以所述第一掩膜结构、第二掩膜结构以及保护层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在所述基底上形成若干图形化结构。
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