中国电子科技集团公司第十一研究所张轶获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310218035.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用是由张轶;喻松林;刘世光;于艳;李春领设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用，包括：在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶；利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域；将裸露出的碲锌镉衬底部分去除；去除光刻胶；重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶；利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面；使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底，并执行干法刻蚀光子晶体图形。本申请的方法实现利用光子晶体结构替代原有的增透膜结构，在探测器整个光谱响应范围内实现高效的增透作用，大幅提升碲镉汞红外探测器性能。
本发明授权碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法，其特征在于，包括： 在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶，其中，所述碲镉汞芯片倒装在读出电路上，在碲镉汞芯片的表面涂覆的光刻胶的厚度与碲锌镉衬底预留厚度相当； 利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域； 将裸露出的碲锌镉衬底部分去除，以使得存留的碲锌镉衬底厚度与光刻胶膜层厚度相当； 去除光刻胶； 重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶； 利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面； 使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底，并执行干法刻蚀光子晶体图形，所述碲锌镉衬底设置在所述碲镉汞芯片与读出电路相对的另一侧。
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