中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111594469.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区；第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区；第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第二源漏掺杂区。本发明实施例基底的两面均形成有晶体管，有利于提高晶体管的密度和集成度，还有利于提高晶体管类型的多样性，以满足器件多样化和性能多样化的需求。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区； 第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区； 第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第二源漏掺杂区； 第一隔离层，位于所述基底的第一面上，用于实现第一栅极结构与基底之间的绝缘； 第二隔离层，位于所述基底的第二面上，用于实现第二有源区之间的隔离，所述第二栅极结构位于所述基底的第二面和所述第二隔离层上； 通孔互连结构，贯穿位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的第一隔离层、基底、以及所述第二隔离层，与第一栅极结构和第二栅极结构相接触。
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