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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种碳化硅晶片的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322470.0，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种碳化硅晶片的生成方法是由石海燕;侯煜;李曼;文志东;张昆鹏;张喆;宋琦;许子业;薛美;张紫辰设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶片的生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法，该碳化硅晶片的生成方法在从碳化硅晶锭剥离出碳化硅晶片之后，在对碳化硅晶片研磨之前，增加了将碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀碳化硅晶片的改质层界面的步骤，通过使用化学溶液腐蚀碳化硅晶片的改质层界面，能够去除碳化硅晶片剥离步骤产生的残余应力、位错及裂纹等缺陷。之后再研磨碳化硅晶片的改质层界面，由于此时碳化硅晶片的改质层界面上无残余应力或者存在较少的残余应力，能够减缓研磨工序的挤压使残余应力增大从而造成裂纹继续生长的现象，从而能够研磨更少材料即可完全去除损伤层，降低晶锭损失，提高晶片的质量。而且能够降低后续研磨的难度，提高研磨效率。

本发明授权一种碳化硅晶片的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的生成方法，其特征在于，包括： 提供待切割的碳化硅晶锭； 采用激光隐形加工工艺，在所述碳化硅晶锭的设定深度层处形成改质层； 采用旋转或拉伸方式，以所述改质层为界面，将所述碳化硅晶锭的一部分剥离，形成碳化硅晶片； 将所述碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀所述碳化硅晶片的改质层界面； 对所述碳化硅晶片的改质层界面进行研磨； 其中，采用激光隐形加工工艺，在所述碳化硅晶锭的设定深度层处形成改质层包括： 步骤一：采用第一激光光束从碳化硅晶锭侧面照入，在碳化硅晶锭内的设定深度层位置处形成一个加热的光路，以使光路上的碳化硅材料在沿光路的传播方向，具有逐渐递减的纵向温度梯度； 步骤二：采用第二激光光束从碳化硅晶锭端面入射并聚焦在设定深度层位置处的光路上，形成爆点，以对光路上的碳化硅材料进行改质； 步骤三：控制第二激光光束的焦点沿着光路的传播方向或传播方向的反方向扫描，以对光路其他位置处的碳化硅材料进行爆点改质，形成切割道；且纵向温度梯度能够诱导每个爆点处的裂纹，在光路内沿着与光路平行的方向生长； 步骤四：按照步骤一中的方法，移动第一激光光束，在碳化硅晶锭内设定深度层的其他位置处形成另一个新的加热的光路； 步骤五：按照步骤二及步骤三中的方法，使第二激光光束聚焦在新的光路上并在新的光路上爆点和扫描，以在新的光路位置处形成切割道； 步骤六：按照步骤四及步骤五的方式，在碳化硅晶锭内的设定深度层位置处形成多个切割道；且相邻切割道上的裂纹能够沿与光路垂直的方向生长并连接在一起，以在设定深度层位置处形成改质层； 其中，所述第一激光光束为贝塞尔光束；所述光路的横截面上的光强，由所述第一激光光束的中心位置向所述第一激光光束的边缘位置，呈波浪形波动，以在所述光路的横截面上形成温度大小波动的横向温度梯度；且所述横向温度梯度能够诱导每个爆点处产生的裂纹，在所述光路内沿着与所述光路垂直的方向横向生长。

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