中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110753619.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图是由金吉松设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，衬底包括多个存储单元区，存储单元区包括相邻接且中心对称的第一子单元区和第二子单元区，第一子单元区和第二子单元区均包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区，在存储单元区中，衬底上形成有栅极结构，栅极结构横跨鳍部，并覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；去除位于第一子单元区和第二子单元区的交界处的栅极结构，形成隔断开口，隔断开口用于在第二方向上分割栅极结构；在隔断开口中形成隔断结构。隔断开口都形成于同一延长线上，可以通过同一张光罩在同一步骤中形成。
本发明授权半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的多个鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述衬底包括多个存储单元区，所述存储单元区包括相邻接且中心对称的第一子单元区和第二子单元区，所述第一子单元区和第二子单元区均包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区； 栅极结构，位于所述基底上且沿所述第二方向横跨所述多个鳍部，所述栅极结构包括覆盖所述鳍部的部分侧壁和部分顶部的栅介质层、以及位于所述栅介质层上的栅电极层； 隔断结构，位于第一子单元区和第二子单元区的交界处，并贯穿第一子单元区和第二子单元区交界处的栅极结构，所述隔断结构在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，其中，对于同一列的存储单元区，所述隔断结构都位于同一延长线上。
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