美光科技公司A·P·埃皮希获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111041557.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成组合件是由A·P·埃皮希设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组合件在说明书摘要公布了：本申请涉及集成组合件。一些实施例包含具有一组真实数字线和一组互补数字线的集成组合件。所述互补数字线中的每一个与所述真实数字线中的相关联的一个相对耦合。半导体衬底在所述真实数字线下方。所述半导体衬底包含从半导体基底向上突出且沿着第一方向延伸的半导体特征。所述半导体特征中的每一个具有相对的侧壁。第一源极漏极区在所述半导体特征内，且第二源极漏极区在所述半导体基底内。所述真实数字线与所述第一源极漏极区耦合。字线沿着所述相对的侧壁且包含以选通方式将所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区耦合的选通区。存储元件与所述第二源极漏极区耦合。在一些实施例中，存储器可利用4F2布局。
本发明授权集成组合件在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括： 一组真实数字线和一组互补数字线；所述互补数字线中的每一个与所述真实数字线中的相关联的一个相对耦合； 半导体衬底，其在所述真实数字线下方；所述半导体衬底包含从半导体基底向上突出且沿着第一方向延伸的半导体特征；所述半导体特征中的每一个具有相对的侧壁；第一源极漏极区在所述半导体特征内，且第二源极漏极区在所述半导体基底内； 所述真实数字线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸； 所述真实数字线与所述第一源极漏极区耦合； 字线，其沿着所述相对的侧壁且包含以选通方式将所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区耦合的选通区；和 存储元件，其与所述第二源极漏极区耦合；所述存储元件包含在存储器单元内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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