南亚科技股份有限公司蔡宏奇获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利集成电路结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110792661.2，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权集成电路结构及其制备方法是由蔡宏奇设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种集成电路结构及其制备方法。该介电隔离结构是可减低导电特征之间的电容性耦合以及串扰。该制备方法包括：在基底上形成一第一导电结构；在该第一导电结构上形成第一介电结构；将该第一导电结构的侧壁部分转换为一第一介电部分；移除该第一介电部分，使得该第一介电结构的宽度大于该第一导电结构的其余部分的宽度；形成一层间介电ILD层，是使该第一介电结构的侧壁被该层间介电层所覆盖；在该层间介电层中形成一加强柱，该加强柱是可通过能量移除其材料；在该加强柱上形成一罩盖介电层；以及进行一热处理制程，是将该加强柱转变成一介电隔离结构，介电隔离结构，该介电隔离结构具一衬垫层，且该衬垫层包围一空气气隙。
本发明授权集成电路结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构的制备方法，包括： 在一基底上形成一第一导电结构； 在该第一导电结构上形成一第一介电结构； 将该第一导电结构的侧壁部分转换成一第一介电部分； 去除该第一介电部分，形成一第一导电结构其余部分，且该第一介电结构的宽度大于该第一导电结构其余部分的宽度； 形成覆盖该第一介电结构的侧壁的一层间介电层； 在该层间介电层中形成一增强柱，且该增强柱的材料是由一能量可去除材料所制； 在该增强柱上形成一罩盖介电层；以及 进行一热处理制程是将该增强柱转换成一介电隔离结构，该介电隔离结构具有一衬垫层且该衬垫层包围一空气气隙。
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