英飞凌科技股份有限公司阿德里安·伯努瓦·伊莱获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利用于保护电路的方法、静电放电电路和集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110075891.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于保护电路的方法、静电放电电路和集成电路是由阿德里安·伯努瓦·伊莱;克劳迪娅·库普费尔;赫尔诺特·朗古特设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于保护电路的方法、静电放电电路和集成电路在说明书摘要公布了：公开了一种用于保护电路的方法、静电放电ESD电路和集成电路。该方法包括：从第一节点接收由ESD事件引起的应力；使用耦接在第一节点与连接至电路的第二节点之间的电流限制元件来限制电流；以及使用保护电路来限制由ESD事件引起的第二节点上的电压，该保护电路包括：至少一个MOS晶体管，其具有耦接至第二节点的负载路径，其中，至少一个MOS晶体管被设置在阱中；以及偏置电路，其耦接至至少一个MOS晶体管的栅极和体连接以及电源节点。
本发明授权用于保护电路的方法、静电放电电路和集成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于保护电路的方法，所述方法包括： 从连接至主静电放电保护电路即主ESD保护电路的第一节点接收由静电放电事件即ESD事件引起的应力； 使用耦接在所述第一节点与连接至所述电路的第二节点之间的电流限制元件来限制电流；以及 使用保护电路来限制由所述ESD事件引起的所述第二节点上的电压，所述保护电路包括： 至少一个MOS晶体管，其具有耦接至所述第二节点的负载路径，其中，所述至少一个MOS晶体管被设置在阱中，以及 偏置电路，其耦接至所述至少一个MOS晶体管的栅极和体连接以及电源节点，其中，所述偏置电路仅通过所述电源节点或所述至少一个MOS晶体管耦接至所述主ESD保护电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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