IMEC 非营利协会E·登托尼利塔获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利替代金属栅极集成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011133699.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权替代金属栅极集成是由E·登托尼利塔;曾文德;S·德牧科设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本替代金属栅极集成在说明书摘要公布了：一种用于形成半导体器件的方法100，所述方法包括：提供110具有至少一个鳍1或纳米线的基材；形成伪栅极3、4；在至少一个鳍1或纳米线和伪栅极3、4上提供120间隔物5；实施130第一RMG模块，其中，高k材料7设置在间隔物5之间的至少一个鳍1或纳米线上；一个或多个退火步骤；在间隔物5之间提供132牺牲塞9；在至少一个鳍1或纳米线中外延生长140源极11、13和漏极11、13；去除134牺牲塞9；实施136第二RMG模块，其中，使WFM14沉积在至少部分间隔物之间，以使得WFM覆盖至少一个鳍或纳米线的高k材料。
本发明授权替代金属栅极集成在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法100，所述方法包括： -提供110基材，在该基材上具有一个或多个鳍1，并且在一个或多个鳍1上或由一个或多个鳍形成的一个或多个纳米线上形成伪栅极3、4； -在一个或多个鳍1或纳米线和伪栅极3、4上提供120间隔物5； -在提供间隔物后，实施130第一替代金属栅极模块，其中，将高k材料7设置在间隔物5之间的一个或多个鳍1的至少一个上、或由一个或多个鳍1形成的一个或多个纳米线上，随后实施一个或多个退火步骤； -在实施第一替代金属栅极模块后，在间隔物5之间提供132牺牲塞9； -在一个或多个鳍1或一个或多个纳米线中外延生长140源极11、13和漏极11、13； -去除134牺牲塞9； -实施136第二替代金属栅极模块，其中，使功函数金属14沉积在至少部分间隔物之间，以使得功函数金属覆盖一个或多个纳米线或一个或多个鳍中的至少一些的高k材料。
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