半导体元件工业有限责任公司J·罗伊格-吉塔特获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112448701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010831887.4，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权电子器件是由J·罗伊格-吉塔特;H·德维利斯绸威尔;P·加索特;P·范米尔贝克;F·J·G·德克勒克;A·维尔斯;全祐哲设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子器件。该电子器件可包括源极端子、栅极端子和保护电路。该保护电路可包括：栅极区段，该栅极区段包括第一电极和第二电极，其中栅极区段的第一电极耦接到栅极端子；以及源极区段，该源极区段包括第一电极和第二电极，其中源极区段的第一电极耦接到源极端子。保护开关可包括控制电极、耦接到栅极端子的第一载流电极以及耦接到源极端子的第二载流电极。栅极区段的第二电极、源极区段的第二电极以及保护开关的控制电极可彼此耦接。
本发明授权电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括： 源极端子； 栅极端子；以及 保护电路，所述保护电路包括： 栅极区段，所述栅极区段包括第一电极、第二电极以及第一二极管，其中所述栅极区段的所述第一电极耦接到所述栅极端子； 源极区段，所述源极区段包括第一电极、第二电极以及第二二极管，其中所述源极区段的所述第一电极耦接到所述源极端子；以及 保护开关，所述保护开关具有保护晶体管，所述保护晶体管包括控制电极、耦接到所述栅极端子的第一载流电极以及耦接到所述源极端子的第二载流电极， 其中： 所述第一二极管的阳极与所述保护晶体管的第一载流电极电耦接，并且所述第一二极管的阴极与所述栅极区段的第二电极电耦接， 所述第二二极管的阳极与所述保护晶体管的第二载流电极电耦接，并且所述第二二极管的阴极与所述源极区段的第二电极电耦接，并且 所述栅极区段的所述第二电极、所述源极区段的所述第二电极以及所述保护晶体管的所述控制电极彼此耦接。
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