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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310845202.5，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权半导体器件及其制造方法、存储系统是由霍宗亮;薛磊;周文斌;徐伟;石艳伟;夏正亮;阳涵;邹欣伟;汤召辉;吴加吉;陈成设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法、存储系统，包括：第一半导体结构，包括：沿第二方向堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括沿第二方向间隔的多个栅极层，多个栅极层在台阶区分别形成多个台阶面；以及多个栅极接触部，位于台阶区中，贯穿多个台阶面并分别与多个栅极层连接，栅极接触部包括在第二方向上位于堆叠结构相对两侧的第一接触端和第二接触端；第二半导体结构，在第二方向上位于第一半导体结构的一侧且靠近第一接触端设置，并包括第一外围电路，第一外围电路与栅极接触部的第一接触端连接；以及第三半导体结构，在第二方向上位于第一半导体结构远离第二半导体结构的一侧，且包括第二外围电路，第二外围电路与栅极接触部的第二接触端连接。

本发明授权半导体器件及其制造方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括沿第一方向邻接的存储区与台阶区，第一半导体结构包括： 沿第二方向堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述第二方向间隔的多个栅极层，多个所述栅极层在所述台阶区分别形成多个台阶面，所述第二方向与所述第一方向相交； 多个栅极接触部，位于所述台阶区中，贯穿多个所述台阶面并分别与多个所述栅极层连接，所述栅极接触部包括在所述第二方向上位于所述堆叠结构相对两侧的第一接触端和第二接触端；一个所述栅极接触部包括贯穿部和接触部，所述贯穿部和所述接触部均沿所述第二方向延伸，且所述贯穿部与所述接触部连接；所述贯穿部贯穿所述台阶区的所述堆叠结构，所述贯穿部远离所述接触部的一端为所述第二接触端；所述接触部远离所述贯穿部的一端为所述第一接触端，所述接触部靠近所述贯穿部且沿所述第一方向延伸的端面还与所述栅极层接触；以及 多个沟道结构，位于所述存储区，并沿所述第二方向贯穿所述堆叠结构，一个所述沟道结构在所述第二方向上包括位于所述堆叠结构相对两侧的第一沟道连接端和第二沟道连接端； 第二半导体结构，在所述第二方向上位于所述第一半导体结构的一侧且靠近所述第一接触端设置，并包括第一外围电路，所述第一外围电路与所述栅极接触部的所述第一接触端连接，所述第一沟道连接端靠近所述第二半导体结构设置并与所述第一外围电路连接；以及 第三半导体结构，在所述第二方向上位于所述第一半导体结构远离所述第二半导体结构的一侧，且包括第二外围电路，所述第二外围电路与所述栅极接触部的所述第二接触端连接，所述第二沟道连接端靠近所述第三半导体结构设置并与所述第二外围电路连接。

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