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龙图腾网获悉上海昆昂电子科技有限公司申请的专利一种应用于三维存储器的线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411407327.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于三维存储器的线性稳压器是由黄轶设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于三维存储器的线性稳压器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种应用于三维存储器的线性稳压器，包括：LDO主电路模块和偏置模块；所述LDO主电路模块用于产生输出电压；所述偏置模块连接于所述LDO主电路模块的输出，且用于为所述LDO主电路模块产生偏置电压；其中，当所述LDO主电路模块的输出电压升高或降低时，所述LDO主电路模块能够使输出电压恢复到静态稳定值。本发明提高了瞬态响应性能并减小了功率管尺寸面积。

本发明授权一种应用于三维存储器的线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种应用于三维存储器的线性稳压器，其特征在于，包括： LDO主电路模块和偏置模块； 所述LDO主电路模块用于产生输出电压； 所述偏置模块连接于所述LDO主电路模块的输出，且用于为所述LDO主电路模块产生偏置电压； 其中，当所述LDO主电路模块的输出电压升高或降低时，所述LDO主电路模块能够使输出电压恢复到静态稳定值； 所述LDO主电路模块包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容和第三电容； 其中，所述第一MOS管的源极端连接于设置电压，栅极端与自身漏极端相连，同时连接于所述第二MOS管的栅极端和所述第三MOS管的漏极端；所述第三MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第二偏置电压，源极端连接于所述第四MOS管的漏极端；所述第四MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第一偏置电压，源极端端接地；所述第二MOS管的源极端连接于所述第十二MOS管MP的源极端，同时连接于所述第三电阻的一端，该点作为所述LDO主电路模块的输出端；所述第二MOS管的漏极端连接于所述第十MOS管的漏极端，该点作为所述LDO主电路模块的反馈端；所述第三电阻的另一端连接于所述第三电容的一端；所述第三电容的另一端连接至地； 所述第十MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第二偏置电压，源极端连接于所述第十一MOS管的漏极端；所述第十一MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第一偏置电压，源极端连接至地； 所述第十二MOS管的漏极端连接输入电压，栅极端连接于所述第二电阻的一端，同时连接于所述第五MOS管的漏极端、所述第六MOS管的漏极端和所述第九MOS管的漏极端；所述第二电阻的另一端连接于所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端连接至地； 所述第五MOS管的源极端连接于所述输入电压，栅极端连接于所述第一电阻的一端和所述第一电容的一端；所述第一电阻的另一端连接于所述偏置模块的第三偏置电压；所述第一电容的另一端连接于所述LDO主电路模块的输出端；所述第六MOS管的栅极端连接于所述LDO主电路模块的反馈端，源极端连接于所述第九MOS管的栅极端，同时连接于所述第七MOS管的漏极端；所述第七MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第二偏置电压，源极端连接于所述第八MOS管的漏极端；所述第八MOS管的栅极端连接于所述偏置模块的第一偏置电压，源极端连接至地；所述第九MOS管的源极端连接至地； 所述第一MOS管、第二MOS管、第五MOS管均为PMOS管；所述第三MOS管、第四MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管均为NMOS管。

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