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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119274608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411310171.4，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权存储器件是由高原;孙晓军;李森;张曙泽;李建平设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种存储器件。存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元和多个冗余存储单元；多个冗余存储单元被配置为修复多个存储单元当中的故障存储单元；故障地址存储电路，存储第一故障存储单元对应的至少一个第一故障地址；修复逻辑存储电路，包括多个第一存储结构和多个第二存储结构；多个第一存储结构存储有多个冗余存储单元对应的冗余地址，第二存储结构存储有第一故障地址；修复逻辑存储电路被配置为：接收第一操作模式命令，第一操作模式命令包括第二故障存储单元对应的至少一个第二故障地址；第二故障存储单元与第一故障存储单元不同；响应于第一操作模式命令，将第二故障地址写入至第二存储结构。

本发明授权存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括： 存储单元阵列，包括多个存储单元和多个冗余存储单元；所述多个冗余存储单元被配置为修复所述多个存储单元当中的故障存储单元； 故障地址存储电路，被配置为存储第一故障存储单元对应的至少一个第一故障地址； 修复逻辑存储电路，包括多个分别具有第一存储地址的第一存储结构和多个分别具有第二存储地址的第二存储结构，所述第一存储结构与所述第二存储结构一一对应且内部存储数据相互映射；所述多个第一存储结构存储有所述多个冗余存储单元对应的冗余地址，且一个所述冗余地址对应一个所述第一存储结构；所述第二存储结构存储有所述第一故障地址，且一个所述第一故障地址对应一个所述第二存储结构； 所述修复逻辑存储电路被配置为： 接收第一操作模式命令，所述第一操作模式命令包括第二故障存储单元对应的至少一个第二故障地址；所述第二故障存储单元与第一故障存储单元不同；和 响应于所述第一操作模式命令，用所述第二故障地址覆盖存储在所述第二存储结构中的所述第一故障地址；或者，响应于所述第一操作模式命令，将所述第二故障地址写入所述第二存储结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305-5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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