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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利存储单元结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947640.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储单元结构及其形成方法是由蔺黎;施平设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储单元结构及其形成方法，其中方法包括：以所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述过渡浮栅层，直到暴露出所述衬底表面，以形成所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构和所述两个存储结构之间的开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅包括第一区和位于所述第一区上的第二区，所述第一区包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁朝向相邻存储栅结构，所述第二侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第一尺寸，所述第一侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；形成所述开口内的擦除栅，提高所形成的存储单元结构的擦除效率。

本发明授权存储单元结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构，所述两个存储栅结构之间具有开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅包括第一区和位于所述第一区上的第二区，所述第一区包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁朝向相邻存储栅结构，所述第二侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第一尺寸，所述第一侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸； 位于所述开口内的擦除栅； 分别位于所述存储栅结构和擦除栅两侧的字线； 位于所述第二区、所述控制栅、所述控制栅介质层侧壁与所述擦除栅侧壁之间的第一侧墙，所述第一侧墙侧壁表面与所述第一区的第一侧壁共垂直面； 位于所述第二区、所述控制栅、所述控制栅介质层侧壁与所述字线侧壁之间的第二侧墙，所述第二侧墙侧壁表面与所述第一区的第二侧壁共垂直面； 位于所述衬底内的源区和漏区，所述源区位于擦除栅下方的衬底内，所述漏区位于所述字线在远离所述控制栅结构的一侧的衬底内； 位于所述存储栅结构在靠近所述漏区一侧的所述衬底内、且位于所述源区和所述漏区之间的临界电压层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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