浙江大学杭州国际科创中心王蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115656268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211407660.2，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法是由王蓉;钱怡潇;李国峰;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法，通过计算碳化硅晶片表面的第一接触电势φsample；再通过建立第一接触电势φsample对应碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的第一关系式得到碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值；建立碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值对应碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的第二关系式得到碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的具体值；建立碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n对应氮浓度ND的第三关系式得到碳化硅晶片氮浓度n的具体值；使得通过表面电势的测试结果得到碳化硅的氮含量，为生产过程提供了便利，提高了测试效率。
本发明授权一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法在权利要求书中公布了：1.一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供经过静电去除处理后的碳化硅晶片，测算得到所述碳化硅晶片表面的第一接触电势； 建立第一接触电势对应所述碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量的第一关系式，根据建立的第一关系式和第一接触电势的具体值计算得到所述碳化硅晶片的导带底能量和费米能级能量的差值； 建立所述碳化硅晶片的导带底能量和费米能级能量的差值对应所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度的第二关系式，根据第二关系式、导带底能量和费米能级能量的差值得到所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度的具体值； 建立碳化硅晶片在平衡时的电子浓度对应氮浓度的第三关系式，根据第三关系式、所述碳化硅晶片在平衡时的电子浓度的具体值得到所述碳化硅晶片氮浓度的具体值。
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