中北大学张志东获国家专利权
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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种压阻式压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115655539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211418312.5，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种压阻式压力传感器是由张志东;薛晨阳;高瑞;张增星;李波;臧俊斌;李越唐设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压阻式压力传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及传感技术领域，具体提供了一种压阻式压力传感器，该压阻式压力传感器包括硅基层、金属引线。硅基层的一个侧面设置有凹陷结构，凹陷结构的底部形成硅膜片，硅膜片远离凹陷结构一侧的表面上设置有超浅掺杂区，金属引线固定设置于硅基层远离凹陷结构一侧，金属引线至少一端与超浅掺杂区固定接触。超浅掺杂区通过金属引线连接入电回路中。金属引线使用磁控溅射或沉积法制备。超浅掺杂区采用低能量的离子注入工艺制造。凹陷结构采用时分复用法刻蚀技术制备。本发明中超浅掺杂区的掺杂厚度为纳米数量级，这样在微小压力环境中形变量较小的情况下，仍然能够引起较大的电阻值变化，从而实现微小压力的高灵敏探测。
本发明授权一种压阻式压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种压阻式压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括硅基层、金属引线，所述硅基层的一个侧面设置有凹陷结构，所述凹陷结构的底部形成硅膜片，所述硅膜片远离所述凹陷结构一侧的表面上设置有超浅掺杂区，所述金属引线固定设置于所述硅基层远离所述凹陷结构一侧，所述超浅掺杂区通过所述金属引线连接形成电回路；所述超浅掺杂区为四个，排布方向为110方向，所述四个超浅掺杂区通过金属引线连接，形成惠斯通电桥；所述硅膜片的形状为长方形，且长边对应的两个所述超浅掺杂区距离边缘的距离小于短边对应的两个所述超浅掺杂区距离边缘的距离；所述硅膜片长边的外侧设置凹槽，所述凹槽的长度长于对应边所述超浅掺杂区的长度。
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