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龙图腾网获悉洛阳理工学院申请的专利一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211280042.6，技术领域涉及：H10N35/85；该发明授权一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料及其制备方法是由胡秋波;罗扉;董宾宾;郭向阳;王亚杰;赵英勤;孙瑞瑞;郭广磊;唐春娟;黎帅帅;郭学通设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料，该材料由Mn、Co、Si和Ge四种金属组成，材料的分子式为MnCoSi1‑xGex，其中x取0.06~0.07，该材料的温度以及磁场诱导的变磁性相变发生在150K~230K，临界磁场为0.2~0.8T，低温磁致伸缩在垂直于织构方向和平行于织构方向表现出各向异性行为，于1.4T磁场诱导下变磁性相变在平行于织构方向上磁致伸缩效应最高达到2026ppm，在垂直于织构方向上磁致伸缩效应最低达到‑1685ppm。本发明制备出了成本较小，具有低温变磁性相变性能，临界磁场较低，不易碎裂，取向较好，且内部结构致密的低温磁致伸缩材料，扩大了其用途和使用范围。

本发明授权一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料，其特征在于：该材料由Mn、Co、Si和Ge四种金属组成，材料的分子式为MnCoSi1-xGex，其中x取0.06~0.07，该材料的温度以及磁场诱导的变磁性相变发生在150~230K，相变临界场为0.2~0.8T，低温磁致伸缩在垂直于织构方向和平行于织构方向表现出各向异性行为，于1.4T磁场诱导下变磁性相变在平行于织构方向上磁致伸缩效应最高达到2026ppm，在垂直于织构方向上磁致伸缩效应最低达到-1685ppm； 上述锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料的制备方法，包括以下步骤： 步骤一、按照分子式MnCoSi1-xGex中Mn、Co、Si和Ge四种金属的摩尔比，分别取Mn、Co、Si和Ge四种金属单质进行混合，充分混匀后，将混合原料置于电弧熔炼炉中的铜坩埚内，抽真空至炉内真空度为1×10-4Pa，之后在持续通入高纯氩气的条件下，对混合原料进行重复熔炼3~4次，制得合金块材，备用； 步骤二、将步骤一制得的合金块材放入石英玻璃管内，之后，先对该石英玻璃管进行抽真空处理，再采用乙炔氧气焰对其进行封存； 步骤三、将步骤二封存后的石英玻璃管放入马弗炉中，控制马弗炉内温度由室温不断升高至1227℃，施加6T的强磁场进行强磁场凝固处理，并在该温度下进行保温50~60min，之后，撤去磁场，控制马弗炉内温度以2℃min的速率降低至850℃，然后，待马弗炉内温度自然降温至室温后，取出制得的合金样品，备用； 步骤四、将步骤三制得的合金样品再次放入马弗炉中，控制马弗炉内温度以10℃min的升温速率由室温不断升高至850℃，进行退火保温处理72~80h，随后控制马弗炉内温度缓慢冷却至室温，取出后，即得成品低温巨磁致伸缩材料。

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