思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司翁炜轩获国家专利权
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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种桥接电容阵列的校准电路和校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115622561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211360476.7，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种桥接电容阵列的校准电路和校准方法是由翁炜轩设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种桥接电容阵列的校准电路和校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种桥接电容阵列的校准电路和校准方法，包括比较器、P端电容阵列、N端电容阵列，P端电容阵列包括高段位电容阵列、低段位电容阵列、桥接电容、校准电容阵列；高段位电容阵列包括待校准电容，桥接电容的第一端与待校准电容的第一端相连，桥接电容的第二端与低段位电容阵列中电容的第一端相连；待校准电容的第二端连接参考电压，低段位电容阵列中电容的第二端连接参考电压；校准电容阵列中电容的第一端和低段位电容阵列中电容的第一端相连，校准电容阵列中电容的第二端连接参考电压或为高阻态。本发明改善了桥接电容阵列中由于寄生电容和工艺偏差带来的电容电位转换时的权重误差。
本发明授权一种桥接电容阵列的校准电路和校准方法在权利要求书中公布了：1.一种桥接电容阵列的校准电路，包括比较器、P端电容阵列、N端电容阵列，P端电容阵列和N端电容阵列分别与比较器的第一输入端和第二输入端相连，其特征在于： P端电容阵列包括高段位电容阵列、低段位电容阵列、桥接电容、校准电容阵列，N端电容阵列的结构与P端电容阵列的结构相同； 所述高段位电容阵列中的电容包括待校准电容，其中，所述桥接电容的第一端与所述待校准电容的第一端相连，所述桥接电容的第二端与所述低段位电容阵列中电容的第一端相连； 所述待校准电容的第二端连接第一参考电压电位或第二参考电压电位，所述低段位电容阵列中电容的第二端连接第一参考电压电位或第二参考电压电位； 所述校准电容阵列中电容的第一端与所述低段位电容阵列中电容的第一端相连，所述校准电容阵列中电容的第二端连接第一参考电压电位或第二参考电压电位，或为高阻态。
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