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龙图腾网获悉南方电网数字电网研究院有限公司申请的专利一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211283580.0，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法是由徐振恒;李鹏;田兵;陈仁泽;王志明;李立浧;钟枚汕;卢星宇;张伟勋;何毅设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁场探测技术领域，且公开了一种CrTeZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法，通过材料制备工艺及探测器工作频段建立CrTeZnTe半金属异质结光栅结构，随后对CrTeZnTe光栅结构施加磁场，建立磁场强度和响应谱特征相互对应的理论模型；利用刻蚀工艺加工所设计的结构，然后对样品进行封装测试。提出设计CrTeZnTe半金属异质结的光栅结构，利用CrTeZnTe光栅结构响应谱的变化来探测外界磁场的大小。因微弱的磁场变化就会影响CrTeZnTe材料的磁阻等特性，从而进一步改变CrTeZnTe光栅结构的响应谱共振频率。通过此方法可有效的提高磁场探测的灵敏度、共振机械特性及温度稳定性，为高灵敏的弱磁场探测提供了一种全新的解决方案。

本发明授权一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法在权利要求书中公布了：1.一种CrTeZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法，其特征在于：通过材料制备工艺及CrTeZnTe半金属异质结光栅结构的工作频段建立CrTeZnTe半金属异质结光栅结构，随后对CrTeZnTe光栅结构施加磁场，利用数值仿真软件计算不同磁场强度下CrTeZnTe材质的磁阻特性变化情况，即表现为金属性、半导体性还是绝缘性，从而反映光栅结构响应谱的变化情况，建立磁场强度和响应谱特征相互对应的理论模型； CrTeZnTe光栅结构设计好后，利用刻蚀工艺加工所设计的结构，得到CrTeZnTe半金属异质结光栅结构样品；对该样品进行密封封装以避免外界环境干扰，随后将封装后的样品置于已知磁场强度的测试环境中，通过监测其响应谱的变化情况，验证磁场强度与响应谱特征的对应关系，完成样品的封装测试； 当磁场施加到CrTeZnTe光栅结构时，CrTeZnTe材料的磁阻特性将发生变化，从而影响结构的响应谱共振频率，通过监测CrTeZnTe光栅结构响应谱的变化情况即可探测环境磁场的强度。

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