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龙图腾网获悉中国人民大学申请的专利一种紧凑型中子导管屏蔽装置及其安装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115541636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211293110.2，技术领域涉及：G01N23/20008；该发明授权一种紧凑型中子导管屏蔽装置及其安装方法是由刘娟娟;张红霞;徐大业;程鹏;汪晋辰;鲍威设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型中子导管屏蔽装置及其安装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紧凑型中子导管屏蔽装置及其安装方法。它包括：中子导管支撑装置，用于安装中子导管，中子导管设置成独立的、没有不锈钢真空罩的真空管，真空管的外层设置一层玻璃，每根独立的中子导管两端用铝窗密封；导管屏蔽体主体，由内至外依次为中子吸收层、伽马辐射防护层和含杂散中子吸收层；导管屏蔽体支撑装置，用于支撑导管屏蔽体主体，包括导管屏蔽体支撑体、2个C‑形横梁，C‑形横梁的结构呈C形；C‑形横梁设置于导管屏蔽体支撑体的顶部。本发明中子导管屏蔽体是无磁的、易安装的、易维护的，并兼顾中子导管的准直、安装和维修，适用于导管大厅中子导管的屏蔽体；安装方法有效地避免了中子屏蔽体自身重量导致的变形对中子导管准直性能的影响。

本发明授权一种紧凑型中子导管屏蔽装置及其安装方法在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型中子导管屏蔽装置，其特征在于，它包括： 中子导管支撑装置，用于安装中子导管，所述中子导管设置成独立的、没有不锈钢真空罩的真空管，所述真空管的外层设置一层玻璃，每根独立的所述中子导管两端用铝窗密封； 导管屏蔽体主体，由内至外依次为中子吸收层、伽马辐射防护层和含杂散中子吸收层； 导管屏蔽体支撑装置，用于支撑所述导管屏蔽体主体，包括导管屏蔽体支撑体、2个C-形横梁，所述C-形横梁的结构呈C形；所述C-形横梁设置于所述导管屏蔽体支撑体的顶部； 所述中子导管支撑装置包括中子导管支撑体、I-形横梁和中子导管夹具，所述I-形横梁的结构呈I形；所述中子导管夹具用于固定中子导管，安装在所述I-形横梁上，所述中子导管支撑体支撑所述I-形横梁； 所述导管屏蔽体主体通过分别位于所述中子导管两侧的两个所述C-形横梁共同支撑； 两个所述C-形横梁和所述导管屏蔽体支撑体的结构呈U-形设置，使得用于支撑所述中子导管的所述I-形横梁从两个所述C-形横梁中间穿过； 所述伽马辐射防护层被加工为两层铅锑合金块，所述铅锑合金块边缘加工成偏移20~30mm的90°台阶状，使得相邻两块所述铅锑合金块呈台阶状接合。

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