天津大学李玲霞获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种高透光CuI/IHFO透明二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210960879.9，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种高透光CuI/IHFO透明二极管及其制备方法是由李玲霞;张家嘉设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高透光CuI/IHFO透明二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子信息材料技术领域，公开了一种高透光CuIIHFO透明二极管及其制备方法，首先按照In2O3:HfO2＝10:1的摩尔比，采用Hf元素掺杂对氧化铟进行改性，并通过磁控溅射制备得到厚度为800‑1000nm的掺铪氧化铟透明导电薄膜；然后掺铪氧化铟透明导电薄膜表面制备P型CuI薄膜，再在CuI薄膜表面制备金属Au电极，得到CuIIHFO透明二极管。本发明制备的透明二极管具有透光度高、低导通电压的特性，同时制备工艺简单，具有良好的应用前景。
本发明授权一种高透光CuI/IHFO透明二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透光CuIIHFO透明二极管，其特征在于，按照In2O3:HfO2=10:1的摩尔比，采用Hf元素掺杂对氧化铟进行改性；通过磁控溅射制备得到厚度为800-1000nm的掺铪氧化铟透明导电薄膜；所述掺铪氧化铟透明导电薄膜的表面制备有P型CuI薄膜，所述P型CuI薄膜的表面制备有金属Au电极；并且按照如下步骤制备得到： 1将氧化铟粉末与氧化铪粉末按10:1的摩尔比进行配料，进行靶材制备； 2将预处理后的基片放入磁控溅射样品台上，将步骤1制备的靶材装置在相应的射频溅射靶上，再将磁控溅射系统的本底真空抽至6.0×10-5Pa~4.0×10-5Pa； 3以高纯氩气作为溅射气体，通过磁控溅射制备掺铪氧化铟透明导电薄膜；控制薄膜厚度为800-1000nm，控制溅射功率为55-75W； 4在所述掺铪氧化铟透明导电薄膜表面进行CuI薄膜制备； 5在所述CuI薄膜表面进行金属Au电极制备。
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