买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030637.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由谷口竣太郎;吉村尚;泷下博;内田美佐稀设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其设置有漂移区；以及缓冲区，其配置在漂移区与下表面之间，并且浓度比漂移区的浓度高，掺杂浓度分布具有最深斜坡，所述最深斜坡的掺杂浓度在从半导体基板的下表面朝向上表面的方向上单调地减小到与漂移区相接的位置，缓冲区中的氢化学浓度分布在设置有最深斜坡的第一深度范围内具备：第一减小部，其氢化学浓度朝向上表面侧减小；第二减小部，其位于比第一减小部更靠上表面侧的位置，并且氢化学浓度减小；以及中间部，其配置在第一减小部与第二减小部之间，中间部具有氢化学浓度分布均匀的平坦部、氢化学浓度的斜坡内峰、或者氢化学浓度的转折部。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，其具有上表面和下表面，并且设置有第一导电型的漂移区；以及 第一导电型的缓冲区，其配置在所述漂移区与所述下表面之间，并且浓度比所述漂移区的浓度高， 所述缓冲区中的掺杂浓度分布具有最深斜坡，所述最深斜坡的掺杂浓度在从所述半导体基板的所述下表面起朝向所述上表面的方向上，单调地减小直到与所述漂移区相接的位置为止， 所述缓冲区中的氢化学浓度分布在设置有所述最深斜坡的第一深度范围内具备： 第一减小部，其氢化学浓度朝向所述上表面侧减小； 第二减小部，其位于比所述第一减小部更靠所述上表面侧的位置，并且所述氢化学浓度减小；以及 中间部，其配置在所述第一减小部与所述第二减小部之间， 所述中间部具有： 平坦部，其所述氢化学浓度分布均匀；或者 所述氢化学浓度的斜坡内峰；或者 所述氢化学浓度的转折部， 所述第一深度范围在所述半导体基板的深度方向上的各位置包括掺杂浓度减小部，所述掺杂浓度减小部的掺杂浓度比所述半导体基板的所述下表面侧的相邻位置的掺杂浓度小， 所述平坦部、所述斜坡内峰或所述转折部配置在所述掺杂浓度减小部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。