昆山协鑫光电材料有限公司孙建侠获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山协鑫光电材料有限公司申请的专利钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210839354.X，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池是由孙建侠;田清勇;钱家栋;王保增;范利生;范斌设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿光电器件结构包括沿指定方向层叠的空穴传输层、钙钛矿光敏层以及电子传输层，空穴传输层包含NiOx，空穴传输层与钙钛矿光敏层之间还设置有在光照下导电的光导电薄膜；光导电薄膜包含光导电性材料，且光导电性材料与Ni2+络合。本发明所提供的钙钛矿光电器件结构及其制备方法不但工艺简单方便，操作性强，工艺成本低，而且有效提高了NiOx的导电性，从而提高了转换效率，同时也防止了NiOx与钙钛矿光敏层发生界面反应，进而提高了稳定性，促进了钙钛矿太阳能电池产业化快速发展。
本发明授权钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿光电器件结构，包括沿指定方向层叠的空穴传输层、钙钛矿光敏层以及电子传输层，所述空穴传输层包含NiOx，其特征在于，所述空穴传输层与钙钛矿光敏层之间还设置有光导电薄膜； 所述光导电薄膜防止所述空穴传输层NiOx中的Ni3+与所述钙钛矿光敏层发生氧化还原反应； 且所述光导电薄膜包含光导电性材料，所述光导电性材料与所述空穴传输层NiOx中的部分Ni2+络合； 所述光导电性材料包括酞菁或酞菁衍生物、卟啉或卟啉衍生物中的任意一种或多种的组合。
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