天津威盛电子有限公司金炳宪获国家专利权
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龙图腾网获悉天津威盛电子有限公司申请的专利气隙式FBAR获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110661577.7，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权气隙式FBAR是由金炳宪;高庸熏设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本气隙式FBAR在说明书摘要公布了：根据本发明的气隙式膜体声谐振器FBAR可以包括：基板，其上表面上包括气隙部；下电极，其形成在基板上；压电层，其形成在下电极上；上电极，其形成在压电层上；保护层，其形成在上电极上；以及梁结构，其从上电极的一侧以拱形延伸，以限定上电极与压电层之间的空间部，其中，梁结构的一端与压电层接触。
本发明授权气隙式FBAR在权利要求书中公布了：1.一种气隙式膜体声谐振器FBAR，其特征在于，包括： 基板，其上表面上包括气隙部； 下电极，其形成在所述基板上； 压电层，其形成在所述下电极上； 上电极，其形成在所述压电层上； 保护层，其形成在所述上电极上；以及 梁结构，其上形成有所述保护层，并且从所述上电极的一侧以拱形延伸，以限定所述上电极与所述压电层之间的空间部， 其中，所述梁结构的一端与所述压电层接触， 其中所述保护层的端部超出所述梁结构的端部预定长度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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