长江存储科技有限责任公司谢景涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210329252.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权三维存储器及其制备方法是由谢景涛;王迪;周文犀;吴林春设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在叠层结构上形成预设孔，其中，所述叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层，所述预设孔延伸至对应牺牲层并将所述对应牺牲层的一部分暴露；在所述预设孔内形成与所述牺牲层的暴露部分连接的预设层；去除所述预设层和所述牺牲层的至少部分形成空隙；以及在所述空隙中填充导电材料，形成彼此连接的导电层和栅极层。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，包括： 在叠层结构上形成预设孔，其中，所述叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层，所述预设孔贯穿部分所述电介质层和所述牺牲层并延伸至对应牺牲层且将所述对应牺牲层的一部分暴露； 在所述预设孔内形成与所述牺牲层的暴露部分连接的预设层； 去除所述预设层以及去除所述牺牲层的一部分形成空隙；以及 在所述空隙中填充导电材料，形成彼此连接的导电层和栅极层； 其中，所述导电层贯穿一个或多个所述牺牲层剩余的部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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