中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘继全获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110070504.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘继全设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有介电层，介电层内形成有贯穿介电层的互连结构，包括相隔离的第一互连开口和第二互连开口，其中第一互连开口的开口尺寸小于第二互连开口的开口尺寸；在第一互连开口中形成第一互连结构，在第二互连开口中形成第二互连结构；其中，第二互连结构材料的电阻率小于第一互连结构材料的电阻率，第一互连结构材料的间隙填充能力大于第二互连结构材料的间隙填充能力。本发明通过第一互连结构和第二互连结构的形成，既提高了互连结构材料的间隙填充性能，同时保障了互连结构的导电性能，进而提高了器件的电学性能和可靠性，例如：后段电学性能、电迁移electromigration，EM性能等。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有介电层，所述介电层内形成贯穿所述介电层的互连开口，所述互连开口包括相隔离的第一互连开口和第二互连开口，所述第一互连开口的开口尺寸小于第二互连开口的开口尺寸； 在所述第一互连开口中形成第一互连结构，在所述第二互连开口中形成第二互连结构； 其中，所述第二互连结构材料的电阻率小于第一互连结构材料的电阻率，第一互连结构材料的间隙填充能力大于第二互连结构材料的间隙填充能力； 在形成所述第一互连结构和第二互连结构之前，所述形成方法还包括：在所述互连开口的底部和侧壁形成浸润层；在所述第二互连开口中，形成覆盖所述浸润层的抑制层； 采用选择性成形工艺，在所述第一互连开口中形成第一互连结构； 在形成所述第一互连结构后，所述形成方法还包括：去除所述抑制层； 去除所述抑制层后，在所述第二互连开口中形成第二互连结构。
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