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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210574363.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺设备是由茅兴飞;杨纪鹏;杨瑞;李岩;陈星;金光浦;王伟;戴庚霖;姚卫杰;杨延铭设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、介质窗、射频腔室和气流引入装置，介质窗设于工艺腔室的上方，射频腔室设置于工艺腔室上方，且介质窗朝向射频腔室的内部，射频腔室设有通气口，在气流引入装置的作用下，外部气体由通气口进入射频腔室内，并在射频腔室内自上而下流向介质窗的控温气流，射频腔室的侧壁开设有散热孔。如此设置，即使介质窗处于高功率射频条件下，采用该半导体工艺设备能够对介质窗快速降温，使介质窗降温至适宜温度范围内。

本发明授权半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括： 工艺腔室100和介质窗200，所述介质窗200设于所述工艺腔室100的上方； 射频腔室300，所述射频腔室300设置于所述工艺腔室100上方，且所述介质窗200朝向所述射频腔室300的内部，所述射频腔室300设有通气口； 气流引入装置500，在所述气流引入装置500的作用下，外部气体由所述通气口进入所述射频腔室300内，并在所述射频腔室300内产生自上而下流向所述介质窗200的控温气流，所述射频腔室300的侧壁开设有散热孔330； 所述气流引入装置500包括气源510和空气放大器520，所述空气放大器520设有压缩气体入口a、气流吸入口b和气流排出口c，所述压缩气体入口a与所述气源510相连通，所述气流吸入口b与外部环境相连通，所述气流排出口c与所述射频腔室300相连通； 所述半导体工艺设备还包括温度检测元件，所述温度检测元件用于检测所述介质窗200的温度，所述空气放大器520的数量为至少两个，其中包括第一空气放大器521和第二空气放大器522，所述气源510的数量为至少两个，其中包括第一气源511和第二气源512，所述第一空气放大器521的所述压缩气体入口a与所述第一气源511连通，所述第二空气放大器522的所述压缩气体入口a与所述第二气源512连通； 在所述温度检测元件检测的温度高于第三预设温度且低于第四预设温度的情况下，所述第一气源511同时为所述第一空气放大器521和所述第二空气放大器522提供压缩气体； 在所述温度检测元件检测的温度高于所述第四预设温度的情况下，所述第一气源511为所述第一空气放大器521提供压缩气体，所述第二气源512为所述第二空气放大器522提供压缩气体； 其中，所述第四预设温度大于所述第三预设温度。

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