华中科技大学孙博获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210218412.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法是由孙博;孔令贤;苏奇;李广亮;史铁林;廖广兰;张许宁;刘智勇设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法，属于微纳制造与光电子器件相关技术领域。制备方法包括：1在刚性衬底表面沉积剥离层，在剥离层表面涂敷柔性基底；2在柔性基底表面沉积绝缘层，通过光刻方法在绝缘层上制得金属电极阵列；3通过微喷印将原子级厚度硫化钼复合薄膜喷涂于金属电极沟道之间；4对柔性器件阵列进行剪裁，将其从刚性衬底上剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器件。本发明采用微喷印的方法将硫化钼复合薄膜转移到各像元处，具有薄膜涂覆均匀，像元质量高、节约材料、工艺简单、成本低等明显优势。
本发明授权基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测成像器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在刚性衬底表面沉积剥离层，在剥离层表面涂敷柔性基底； 2在柔性基底表面沉积绝缘层，通过光刻在绝缘层上先后制得金属连接层和金属电极阵列； 3通过微喷印方法将硫化钼油墨喷涂于金属电极阵列形成的沟道之间，得到原子级厚度硫化钼薄膜；金属电极阵列形成的沟道间距为3µm-15µm； 4对柔性基底进行剪裁，并将其从刚性衬底上剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的仿视网膜光探测器件；所述器件上单位成像单元由硫化钼薄膜和其两端连接的一对金属电极构成，且同一经线方向的成像单元共用阳极或阴极。
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